Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

TOKIO–(BUSINESS WIRE)–Toshiba
Corporation
(TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1
memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de
vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El prototipo
se exhibirá en la Flash Memory Summit 2015 que tendrá lugar del 11 al 13
de agosto en Santa Clara, EE. UU.


En la generación previa de memorias NAND apiladas la conexión consiste
en unión por cables en un paquete. En cambio, la tecnología TSV utiliza
electrodos y vías verticales que atraviesan los dies de silicio para
conectarse. De esta manera se logra la entrada y salida de datos de alta
velocidad y se reduce el consumo de energía.

La tecnología TSV de Toshiba logra una velocidad de E/S de datos de más
de 1 Gbps, superior a cualquier otra memoria flash NAND con alimentación
de baja tensión: 1,8 V para los circuitos del núcleo y 1,2 V para los
circuitos de E/S, y aproximadamente 50 %*2 de reducción de
energía en las operaciones de escritura, lectura y transferencia de
datos de E/S.

Esta nueva memoria flash NAND proporciona la solución ideal para
latencia baja, gran ancho de banda y IOPS/Watt alto en aplicaciones de
almacenamiento flash, incluidas las SSD de empresas de alta gama.

Parte de esta tecnología aplicada fue desarrollada por la Organización
de desarrollo de energía nueva y tecnología industrial (New Energy and
Industrial Technology Development Organization, NEDO).

 

Especificaciones generales del prototipo

Tipo de paquete   NAND Dual x8 BGA-152
Capacidad de almacenamiento (GB) 128   256
Número de pilas 8 16
Dimensiones externas

(mm)

  Ancho 14 14
Profundidad 18 18
Altura 1,35 1,90
Interfaz   DDR alterno
 

Nota:
*1: Desde el 6 de agosto de 2015. Estudio de Toshiba.
*2:
En comparación con los productos existentes de Toshiba.

Acerca de Toshiba

Toshiba Corporation, una compañía Fortune Global 500, canaliza las
capacidades de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos
avanzados, y en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios:
Energía e Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios
de Salud, Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y
Servicios de Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso
Básico del Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con
el Futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba
promueve operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento
mediante la Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and
Innovation), y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las
personas vivan en una sociedad segura y cómoda.

Fundada en Tokio en 1875, Toshiba, hoy en día, está en el centro de una
red global de más de 590 compañías consolidadas que emplean a más de
200 000 personas en todo el mundo, con ventas anuales que superan los
6,5 billones de yenes (63 000 millones de USD).
Para obtener
más información acerca de Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión
oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación
y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única
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Toshiba Corporation
Semiconductor & Storage Products Company
Megumi
Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion
Group
División de Planificación Comercial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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